Nanotechnologie optimiert Datenspeicherung
Viel, aber langsam oder schnell dafür mit geringerer Kapazität. Vor diesem “Dilemma” stehen derzeit die Hersteller von mobilen Geräten. Ihnen stehen entweder magnetische PC-Festplatten zur Verfügung, die zwar Unmengen an Daten aufnehmen können, aber langsame Zugriffszeiten haben oder sie geben sich mit den schnellen DRAM-Speichern (Dynamic Random Access Memory) zufrieden, die wesentlich weniger Informationen abspeichern können. Daher stellt sich an die Forschung die Anforderung eine Möglichkeit zu entwickeln, die die Vorteile beider Systeme vereinigt. Bisher stehen als Alternative die sogenannten Flash-Speicher zur Verfügung. Sie arbeiten analog zu DRAM-Speichern komplett ohne mechanische Elemente wie Schreib- oder Lesekopf, können Daten schnell, aber im Gegensatz zu DRAM permanent abspeichern.
Nun haben deutsche und koreanische Forscher leistungsfähige FeRAM-Speicher (Ferroelectric Random Access Memory) entwickelt. Die Informationen werden als elektrische Ladungen auf Kondensatoren, die ferroelektrischen Materialien enthalten, gespeichert. Die einzelnen Speicherzellen sind dann entweder positiv oder negativ polarisiert. Somit enthält jeder Kondensator ein Bit an Daten. Die Wissenschaftlern können mit Hilfe einer Lochmaske 176 Milliarden Platin-Kondensatoren gefüllt mit Blei-Zirconat-Titant auf einer Fläche von 6,45 Quadratzentimetern aufbringen. Dies entspricht einem Volumen von 22 Megabyte pro Quadratzoll. Das eigentliche Speichersignal wird in Form von “schweren” Ionen auf das Ferroelektrikum geladen.
Weitere Experimente müssen nun zeigen, in wie weit die Speicherdichte noch erhöht werden kann.
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